IC 载板电镀加工是半导体封装领域的核心工艺，专为 IC 载板（如 ABF 载板、BT 载板）沉积高精度金属镀层，核心作用是实现芯片与基板的可靠电连接、提升散热与抗腐蚀性能。
核心工艺要求 镀层精度：厚度公差需控制在 ±0.1μm 内，镀层均匀性误差不超过 5%。 适配细线路需求：针对 IC 载板的微线路（线宽 / 线距＜20μm），需避免镀层桥连、空洞。 材质兼容性强：需匹配 ABF 膜、BT 树脂、陶瓷等不同载板基材，不损伤基材性能。
面板级加工：扇出型封装常采用面板级封装（FOPLP）方式，如盛美上海的 Ultra ECP ap-p 面板级电镀设备可加工尺寸高达 515x510 毫米的面板，相比传统晶圆级封装，能提高生产效率，降低成本。 高精度要求：需满足高密度互连（HDI）、超细线路 / 焊盘（线宽 / 线距常＜20μm）的要求，对镀层均匀性、致密度、附着力、纯度等方面要求，例如铜镀层孔隙率需≤1 个 /cm²。 复杂结构处理：对于埋入式扇出型封装结构，可能存在深宽比较大的通孔，电镀时需要特殊工艺处理，以避免产生空洞等缺陷。
工艺流程 前处理：包括对载板进行开槽、打通孔等操作，然后将载板贴在承载胶上，植入芯片和金属块，进行次塑封，形成塑封层；之后拆除承载胶，对一次塑封件另一面进行第二次塑封，形成第二塑封层。 电镀准备：在塑封层和第二塑封层上打盲孔，以露出芯片的 IO 接口和金属块，然后对盲孔进行真空溅射，并在二次塑封件的上、下两面建立种子层。 电镀沉积：通过电解或化学沉积方式，让金属离子在载板表面沉积形成所需的镀层，如铜、镍、金、锡等镀层，在电镀过程中需要控制电场、电镀液成分、温度、电流密度等参数，以确保镀层的质量和性能。 后处理：电镀完成后，进行清洗、烘干等操作，去除表面残留的电镀液和杂质，然后对镀层进行检测，如检测镀层厚度、附着力、孔隙率等，确保产品质量符合要求。