IC 载板电镀加工是半导体封装领域的核心工艺，专为 IC 载板（如 ABF 载板、BT 载板）沉积高精度金属镀层，核心作用是实现芯片与基板的可靠电连接、提升散热与抗腐蚀性能。
关键技术 电镀液配方：例如酸性铜盲孔填充电镀液通常为高浓度的铜（200g/L 至 250g/L 硫酸铜）和较低浓度的酸（约 50g/L 硫酸），并添加抑制剂、光亮剂和整平剂等有机添加剂，以控制电镀速率，获得良好的填充效果和物理特性。 添加剂控制：通过控制添加剂的浓度和比例，利用抑制剂、光亮剂和整平剂的不同作用，实现盲孔的自下而上填充，避免大凹陷、敷形填充等问题，同时保证镀层的均匀性和表面质量。
电子载板电镀加工主流工艺类型 电解电镀：适用于大批量、高厚度镀层需求（如铜镀层≥3μm），成本较低，效率高。 化学镀：无需通电，镀层均匀性好，适配复杂结构载板（如盲孔、细线路），常用于打底镀层。 脉冲电镀：减少镀层晶粒大小，提升硬度和耐磨性，适配高频、高功率电子载板。
半加成工艺载板电镀是一种用于制造高精度电子载板的工艺方法，在半导体封装等领域应用广泛。以下是关于它的详细介绍： 工艺原理：半加成法（SAP）的核心是通过 “逐步沉积铜层” 形成电路。先在绝缘基板表面制备超薄导电层，即种子层，再通过光刻技术定义线路图形，对图形区域电镀加厚铜层，去除多余部分后形成完整电路。改良型半加成法（mSAP）则是在基板上预先贴合 3-9μm 的超薄低轮廓铜箔作为基铜，再进行后续操作。 工艺流程 基材准备：使用表面平整的超薄铜箔基板或无铜基材，如 1-2μm 厚铜层的基板或 ABF 薄膜等。 化学沉铜：通过化学沉积在基材表面形成 0.3-0.8μm 的薄铜层，作为导电基底，即种子层。 图形电镀铜：对露出的种子层区域进行电镀加厚，使线路达到设计厚度，通常至 5-15μm，形成导线主体。 去胶与蚀刻：移除光刻胶或干膜，然后蚀刻掉未被电镀覆盖的薄种子层铜，由于种子层厚度极薄，蚀刻侧蚀极小。 表面处理：进行沉金、OSP、沉锡等表面处理，以满足后续封装和焊接等工艺的要求。